MAKALAH FERROELEKTRIK TRANSISTOR RANDOM ACCESS MEMORY

BAB I

PENDAHULUAN

A. Latar Belakang

Perkembangan komputer dan teknologi informasi sekarang ini sangat berhubungan dengan kemajuan dalam data teknologi penyimpanan. Random access memory, (RAM) adalah sebuah tipe penyimpanan komputer yang isinya dapat diakses dalam waktu yang tetap tidak memperdulikan letak data tersebut dalam memori. Saat ini informasi yang sedang diproses disimpan dalam  Dynamic Random Access Memory (DRAM). RAM ini cukup cepat tetapi kerugiannya adalah sifatnya yang volatile. Sementara komputasi dengan kinerja tinggi saat ini membutuhkan  non-volatilitas memori. Para ilmuwaan mencoba untuk menemukan teknologi dan material yang baru untuk membangun RAM non-volatile yang cepat, padat, rendah pada konsumsi daya dan ekonomis serta menguntungkan. Sejumlah opsi tentang non-volatile memory telah dipertimbangkan pengunaanya, seperti Ferroelektrik Random Access Memory (FeRAM) dan juga teknologi terbaru yakni Ferroelektrik Transistor Random Access Memory (FeTRAM). Perkembangan teknologi penyimpanan ini bertujuan untuk meningkatkan efisiensi daya listrik dan mengacu pada peningkatan kecepatan memory dalam mengakses setiap datanya.

B. Rumusan Masalah

1.  Perbandinagn antara FeTRAM (Ferroelektrik Transistor Random Access Memory ) dan FeRAM (Ferroelektrik Random Access Memory).

2.  Perbandingan antara FeRAM, DRAM dan EEPROM.

C. Tujuan

1.  Mengetahui baik persamaan maupun perbedaan dari FeTRAM (Ferroelektrik Transistor Random Access Memory ) dan FeRAM (seperti Ferroelektrik Random Access Memory).

2.  Mengetahui perbedaan efisiensi antara FeRAM, DRAM dan EPROM

untuk lengkapnya bisa diunduh DISINI